[发明专利]第III主族金属氮化物晶体的高温高压生长有效
| 申请号： | 03806906.7 | 申请日： | 2003-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN1643187A | 公开（公告）日： | 2005-07-20 |
| 发明（设计）人： | 马克·P·德维利恩;史蒂文·W·韦布;苏尔什·S·瓦加拉利;亚武兹·卡迪奥格卢;朴东实;陈征 | 申请（专利权）人： | 通用电气公司 |
| 主分类号： | C30B9/00 | 分类号： | C30B9/00;C30B29/40 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 封新琴;巫肖南 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明披露了形成至少一种第III主族金属氮化物单晶的方法，该方法包括下述步骤：将熔剂材料106和源材料102提供至反应器100，其中所述源材料包括至少一种选自铝、铟和镓的第III主族金属；密封所述反应器100；将所述反应器100加热至预定温度，将预定压力施加给所述反应器。所述预定压力足以抑制所述第III主族金属氮化物在预定温度下分解。本发明还披露了通过该方法形成的第III主族金属氮化物，以及具有第III主族金属氮化物基底的电子器件。 | ||
| 搜索关键词： | iii 金属 氮化物 晶体 高温 高压 生长 | ||
【主权项】：
1.形成至少一种第III主族金属氮化物单晶的方法，该方法包括下述步骤：将源材料102提供至反应器100，其中所述源材料102包括至少一种选自铝、铟和镓的第III主族金属，其中所述反应器100具有内室，并且对于氮气和氨是可密封的以及是化学惰性的；将熔剂材料106提供至所述反应器100，其中所述熔剂材料106在约30℃下是固体；密封所述反应器100；将所述反应器100加热至预定温度，将预定压力施加给所述反应器，其中所述预定压力足以抑制所述第III主族金属氮化物在预定温度下分解；以及形成至少一种第III主族金属氮化物单晶。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于通用电气公司，未经通用电气公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/03806906.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：光学装置
- 下一篇：对移动设备进行仿真的方法和装置
