[发明专利]基板处理装置和基板处理方法、高速旋转阀、清洁方法无效
申请号: | 03807088.X | 申请日: | 2003-03-25 |
公开(公告)号: | CN1643668A | 公开(公告)日: | 2005-07-20 |
发明(设计)人: | 神力博;荒见淳一 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/31 | 分类号: | H01L21/31;F16K5/04;F16K51/02 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙淳;王雪燕 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种基板处理装置,可将对排气反应容器排气时的排气端口的电导系数在ALD处理中设定得小,以便在所述反应容器内形成层流,在净化处理中设定得大,以便可在短时间内净化所述反应容器内。基板处理装置(40)的排气端口(201a、201b)具有沿大致垂直于所述层流的流动方向的方向延伸的裂缝形状。在所述排气端口上结合旋转阀(25A、25B),该旋转阀配备具有对应于所述裂缝形状的裂缝状开口部的阀体。伴随所述旋转阀中阀体的旋转,电导系数变化。 | ||
搜索关键词: | 处理 装置 方法 高速 旋转 清洁 | ||
【主权项】:
1、一种基板处理装置,该装置具备:配备保持被处理基板的基板保持台、且在排气端口被排气的处理容器;以及分别以层流的形式向所述处理容器内供给多数的原料气体的原料气体供给系统,其特征在于,所述排气端口具有沿大致垂直于所述层流的流动方向的方向延伸的裂缝形状,在所述排气端口上结合具有阀体的阀,所述阀体具有对应于所述排气端口的裂缝形状的裂缝状开口部,所述裂缝状开口部沿大致垂直于所述排气端口的延伸方向的方向、可相对所述排气端口位移地设置,所述阀通过所述裂缝状开口部位移来使开度变化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造