[发明专利]用于指示膜层变化的宽频带光学终点检测系统与方法有效
| 申请号： | 03807422.2 | 申请日： | 2003-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN1643662A | 公开（公告）日： | 2005-07-20 |
| 发明（设计）人： | V·卡茨;B·米切尔 | 申请（专利权）人： | 兰姆研究有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;B24B49/12;G01B11/28 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 邹光新;梁永 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了一种用于在化学机械抛光制程中检测终点的系统与方法，包括利用第一宽频带光束(132)照射晶片(300)表面的第一部分。接收第一反射光谱数据。第一反射光谱数据(308)对应于从晶片表面的第一照射部分反射的第一光谱的光。利用第二宽频带光束照射晶片表面的第二部分。第二反射光谱数据对应于从晶片表面的第二照射部分反射的第二光谱的光。将第一反射光谱数据和第二反射光谱数据标准化，基于标准化的第一光谱数据与第二光谱数据之间的差别来确定终点。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 指示 变化 宽频 光学 终点 检测 系统 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于在化学机械抛光制程中检测终点的方法，包括：利用第一宽频带光束，照射晶片表面的第一部分；接收第一反射光谱数据，该数据对应于自晶片表面的第一照射部分反射的第一多个光谱的光；利用第二宽频带光束，照射晶片表面的第二部分；接收第二反射光谱数据，该数据对应于自晶片表面的第二照射部分反射的第二多个光谱的光；将该第一反射光谱数据标准化；将该第二反射光谱数据标准化；以及基于标准化的第一光谱数据与标准化的第二光谱数据的差别，确定终点。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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