[发明专利]形成非易失可变电阻器件的方法以及形成包含硒化银的结构的方法

摘要

一种形成非易失性可变电阻器件的方法，包括在衬底上形成包含银元素的图案块。在衬底上形成包含硒元素的层，包括在包含银元素的图案块上。所述衬底暴露于这样的条件下，用于仅使硒元素的一些与银元素反应，以形成包含硒化银的图案块。未反应的硒元素从衬底去除。第一导电电极设置为与包含硒化银的图案块的一部分电连接。包含硒化锗的材料设置为与包含硒化银的图案块的另一部分电连接。第二导电电极设置为与包含硒化锗的材料电连接。

主权项

1.一种形成非易失性可变电阻器件的方法，包括：在衬底上形成包含银元素的图案块；在所述衬底上形成包含硒元素的层，包括包含银元素的图案块上；将所述衬底暴露于这样的条件下，所述条件用于仅使所述硒元素的一些与所述银元素反应，以形成包含硒化银的图案块；将未反应的硒元素从所述衬底去除；提供与包含硒化银的图案块的一部分电连接的第一导电电极；提供与包含硒化银的图案块的另一部分电连接的包含硒化锗的材料；以及提供与包含硒化锗的材料电连接的第二导电电极。