[发明专利]曝光掩模图形的形成方法,曝光掩模图形,以及半导体器件的制作方法

摘要

一种用来形成曝光掩模图形的方法，其中，以预定的间距为设计图形(1)的边沿提供了边沿分割点(P)，并对借助于分割边沿而确定的各个边沿区段的边沿位置进行修正。具有是为设计图形(1)的成对面对的边的长边的矩形(10，11)，被产生在设计图形(1)中。矩形(10，11)被形成在其中设计图形(1)的各个长边之间的距离W1和W2处于预定间距W0内的部分。从是为矩形(10，11)的短边所共用的角落的二个起点(P₀)开始，以预定的间距t，为长边提供新的分割点P(P₁)。于是，简化了用于光刻术的曝光掩模图形，并改善了转移图形形成的精度。

主权项

1.一种形成曝光掩模图形的方法，它包含下列步骤：用包含所述设计图形的一对面对的边，在设计图形中形成矩形图形；用共用每一矩形图形的一个边的二个顶点作为起点，并从所述起点以预定的间距为所述面对的边提供边沿分割点；以及修正所述边沿分割点所分割的每一边沿部分的边沿位置。