[发明专利]尖晶石基片和在基片上进行III－V材料的多相外延生长

摘要

本发明的尖晶石组合物包括式子为Mg_1－wα_wAl_x－yβ_yO_z的单晶晶格，其中0＜w＜1，2＜x＜约8，y＜x，4≤z≤13，α为二价阳离子元素，它的离子半径大于二价Mg，β是三价阳离子元素，它的离子半径大于三价Al的单晶晶格。所述单晶晶格具有四面体与八面体位置，且大多数Mg与α元素占据四面体位置。在一个实施方式中，在单晶晶格生长期间，铝对镁、α元素和β元素的摩尔比可加以控制，形成适合于进行III－V材料多相外延生长的尖晶石基片。本发明方法包括形成尖晶石组合物的单晶晶格。一种复合物包括尖晶石组合物层和在尖晶石层表面上的III－V层。制备该复合物的方法是采用多相外延技术在尖晶石组合物表面上沉积III－V层。

主权项

1.一种尖晶石组合物，它包含式子为Mg1-wαwAlx-yβyOz的单晶晶格，其中0＜w＜1，2＜x＜约8，y＜x，4≤z≤约13，α为二价阳离子元素，它的离子半径大于二价Mg，β是三价阳离子元素，它的离子半径大于三价Al，所述晶格中具有四面体与八面体位置，大多数Mg与α元素占据四面体位置。