[发明专利]Al系Ⅲ－V族化合物半导体的气相生长方法、Al系Ⅲ－V族化合物半导体的制造方法与制造装置有效
| 申请号： | 03808002.8 | 申请日： | 2003-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN1647251A | 公开（公告）日： | 2005-07-27 |
| 发明（设计）人： | 纐缬明伯;熊谷义直;丸井智敬 | 申请（专利权）人： | 农工大TLO株式会社(日本东京) |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;C30B23/02;C30B25/14;C30B29/38;C30B29/40;C23C16/34 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 郭煜;庞立志 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在采用以往的HVPE法使含Al的III－V族化合物半导体结晶生长的场合，为了抑制与石英反应的氯化铝(AlCl)、溴化铝(AlBr)的产生，故在采用气相外延生长法使含III族AlII－V族化合物半导体结晶生长的方法中，在700℃以下的温度下使Al与卤化氢反应。结果，抑制与反应器的石英激烈进行反应的氯化铝(AlCl)、溴化铝(AlBr)的产生。因此100微米/小时以上速度的Al系III－V族化合物半导体气相生长成为可能，可批量生产衬底或耐恶劣环境半导体。即，通过在700℃以下的温度下使Al与卤化氢反应解决了上述课题。 | ||
| 搜索关键词： | al 化合物 半导体 相生 方法 制造 装置 | ||
【主权项】：
1.Al系III-V族化合物半导体的气相生长方法，其特征是在采用气相外延生长法使含III族Al的III-V族化合物半导体进行结晶生长的方法中，具有在700℃以下的温度下使固体Al与卤化氢反应、生成Al的卤化物的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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