[发明专利]用于蚀刻通孔的改进方法有效
| 申请号： | 03808029.X | 申请日： | 2003-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN1647254A | 公开（公告）日： | 2005-07-27 |
| 发明（设计）人： | 罗素·韦斯特曼;大卫·J·约翰逊 | 申请（专利权）人： | 优利讯美国有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 黄启行;谢丽娜 |
| 地址： | 美国佛*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于蚀刻衬底的改进方法，该方法减少了柱状体的形成。根据该方法，减少了工艺中使用的蚀刻气体的滞留时间，并且增加了用于离解蚀刻气体的感应耦合等离子体源的功率。在蚀刻工艺期间提供低偏置的RF电压。在蚀刻工艺期间使用的不同偏置电平之间RF偏置电压跳变。使用感应耦合等离子体限制环来强制感应耦合等离子体源中产生的活性粒子处于衬底的表面之上。这些步骤减少或消除了在蚀刻工艺期间柱状体的形成。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 蚀刻 改进 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于在衬底中形成通孔的改进方法，该方法包括步骤：在该衬底上形成掩膜层；在感应耦合等离子体处理系统中放置所说的衬底；将高速Cl2气流引入该处理系统；通过提高感应耦合等离子体处理系统的功率电平以便更加充分地离解高速Cl2气流，在该衬底中蚀刻通孔；从该等离子体处理系统中移出该衬底；以及从所说的衬底剥除所说的掩膜层。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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