[发明专利]等离子体CVD薄膜形成设备以及制造镀覆有CVD薄膜的塑料容器的方法

摘要

本发明公开了一种等离子体CVD薄膜形成设备。对于常规的CVD薄膜成形设备，必须要将外电极限定为中空结构，该中空结构包括一用于容纳容器的空腔，且该空腔的形状要大体上类似于容器的外部形状，本发明消除了这一缺陷。本发明等离子体CVD薄膜成形设备的特征在于：向相互分离的外电极内壁面与容器内壁面之间形成的空间内输送一种容器外气体，由此，在利用CVD方法形成薄膜的过程中，由容器外气体生成的等离子体作为导体而向容器的外壁面传输高频能量，从而获得了这样的状态—该状态等同于外电极内壁面与塑料容器外壁面保持接触时的状态，这样就可以向容器的内壁面施加一个均匀的自偏电压。

主权项

1.等离子体CVD薄膜的形成设备，其特征在于包括：一外电极，其与一真空腔室共体，所述真空腔室具有一用于容纳塑料容器的自由空间，所述真空腔室能将所述塑料容器容纳在自由空间内，以使得所述塑料容器的容器内气体与所述塑料容器的容器外气体不会相混；一内电极，其可移走地布置在所述塑料容器的内部，并与所述外电极保持绝缘状态；容器内气体引入装置，其用于将容器内气体引入到所述塑料容器的内部，所述气体是要被生成为等离子体的源气体或放电气体；容器外气体引入装置，其用于将容器外气体引入到一密闭空间内，所述密闭空间就是所述自由空间，所述气体是要被生成为等离子体的源气体或放电气体；以及高频能量供应装置，其用于向外电极输送高频能量。