[发明专利]脱模层转移用薄膜及层合薄膜无效
| 申请号： | 03808366.3 | 申请日： | 2003-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN1647262A | 公开（公告）日： | 2005-07-27 |
| 发明（设计）人： | 坂田贤;林克彦 | 申请（专利权）人： | 三井金属矿业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H05K3/28 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 杜日新 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种脱模层转移薄膜，该薄膜易于在COF用柔性印制线路板上形成脱模层，且其绝缘层不与加热工具熔合，从而提高半导体芯片安装线的可靠性和生产率。脱模层转移薄膜(1)用于把脱模层形成在绝缘层上，该绝缘层构成COF用柔性印制线路板，该线路板包括转移薄膜(2)和转移用脱模层(3)，(3)设置在(2)的单侧表面上，是由脱模剂构成的，且对绝缘层是可转移的。 | ||
| 搜索关键词： | 脱模 转移 薄膜 | ||
【主权项】：
1.一种脱模层转移用薄膜，其特征在于，它是一种为在成为COF用柔性印制线路板材料的绝缘层上形成脱模层的脱模层转移用薄膜，包括转移用薄膜、和设在该转移用薄膜单侧表面上的转移用脱模层，该转移用脱模层是由脱模剂形成且能转移到该绝缘层上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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