[发明专利]多数据状态存储单元无效
| 申请号： | 03808515.1 | 申请日： | 2003-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN1647209A | 公开（公告）日： | 2005-07-27 |
| 发明（设计）人： | T·L·吉尔顿 | 申请（专利权）人： | 微米技术有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/34 | 分类号： | G11C11/34;G11C11/56 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴立明;张志醒 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 可编程多数据状态存储单元包括由第一导电材料形成的第一电极层、由第二导电材料形成的第二电极层、以及置于该第一和第二电极层之间的第一层金属掺杂硫族化物材料。该第一层提供一种媒质，其中可以形成导电生长以便将第一和第二电极层电耦合在一起。该存储单元还包括由第三导电材料形成的第三电极层，以及置于该第二和第三电极层之间的第二层金属掺杂硫族化物材料，该第二层提供一种媒质，其中可以形成导电生长以便将第二和第三电极层电耦合在一起。 | ||
| 搜索关键词： | 多数 状态 存储 单元 | ||
【主权项】：
1.多状态存储单元，包括：由第一导电材料形成的第一电极层；由第二导电材料形成的第二电极层；置于第一和第二电极层之间的第一层金属掺杂硫族化物材料，该第一层提供一种媒质，其中能够形成导电生长以便将第一和第二电极层电耦合在一起；由第三导电材料形成的第三电极层；以及置于第二和第三电极层之间的第二层金属掺杂硫族化物材料，该第二层提供一种媒质，其中能够形成导电生长以便将第二和第三电极层电耦合在一起。
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