[发明专利]具有填充沸石发射层的发光器无效

专利信息
申请号: 03808629.8 申请日: 2003-04-17
公开(公告)号: CN1647226A 公开(公告)日: 2005-07-27
发明(设计)人: T·诺维特;D·M·舒特 申请(专利权)人: 惠普开发有限公司
主分类号: H01J1/312 分类号: H01J1/312;H01J9/02
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 傅康;梁永
地址: 美国德*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种发射器(10),包括电子提供层(16),在电子提供层上定义发射区域的氧化层(15),以及在发射区内并且与电子提供层接触的量子点沸石发射层(14)。量子点沸石发射层包括多个笼罩,并把半导体材料保持在这些笼罩内。
搜索关键词: 具有 填充 发射 发光
【主权项】:
1.一种发射器(10),包括:电子提供层(16);在所述电子提供层上、定义发射区域的氧化物层(15);以及在发射区域内并且与所述电子提供层接触的量子点沸石发射层(14),所述量子点沸石发射层包括多个笼罩,并把半导体材料保持在所述笼罩内。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于惠普开发有限公司,未经惠普开发有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/03808629.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top