[发明专利]半导体设备无效
| 申请号： | 03808738.3 | 申请日： | 2003-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN1647283A | 公开（公告）日： | 2005-07-27 |
| 发明（设计）人： | 皮埃尔·克里斯托夫·法赞;塞尔格·奥霍宁 | 申请（专利权）人： | 矽利康创新有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/788 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 瑞士*** | 国省代码： | 瑞士;CH |
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| 摘要： | 公开了一种半导体设备，例如DRAM存储器设备。半导体材料的基底(12)被提供有形式为盒状区域(38)的能带调整装置，且该基底由一绝缘层(14)覆盖。半导体层(16)其中形成有源区(18)和漏区(20)，用以限定各场效应晶体管的体(22)。盒状区域(38)的掺杂浓度高于相邻的体(22)，但低于对应的源区(18)和漏区(20)，且其调整体(22)的价带和/或导带，以提高可存储于体(22)内的电荷的数量。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体设备 | ||
【主权项】：
1.一种半导体设备，包括：半导体材料的基底；提供于所述基底上的第一电绝缘层；提供于所述第一电绝缘层上的第一半导体层，其适于在其中形成至少一个场效应管的相应的源和漏区，以限定所述源区和漏区之间的一个相应的体区；和能带调整装置，用于调整在至少一个所述场效应晶体管的所述体区内的价带和/或导带以增加电荷数量，所述电荷可至少被暂时存储在所述体区内。
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