[发明专利]用于电阻可变存储器的硒化银/硫族化物玻璃叠层无效
| 申请号： | 03808878.9 | 申请日： | 2003-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN1647292A | 公开（公告）日： | 2005-07-27 |
| 发明（设计）人： | K·A·坎贝尔;J·穆尔 | 申请（专利权）人： | 微米技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G11C11/34;H01L27/24 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;张志醒 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及用于提供具有改善的数据保持和转换特性的电阻可变存储器元件的方法和装置。根据本发明的一个实施方案，电阻可变存储器元件在玻璃层(17，20)之间设有至少一层银的硒化物层(18)，其中玻璃层中的至少一层是硫族化物玻璃，优选具有GexSe100－x成分。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 电阻 可变 存储器 硒化银 硫族化物 玻璃 | ||
【主权项】：
1.一种电阻可变存储元件，包括：至少一层金属含有层，至少一层硫族化物玻璃层，至少一层其它玻璃层，所述金属含有层设于所述至少一层硫族化物玻璃层和所述至少一层其它玻璃层之间。
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