[发明专利]在基质的选择部分上无电沉积金属层的方法

摘要

本发明涉及一种在基质的选择部分上无电沉积金属层的方法。本发明一种优选的形式涉及在基质的铟锡氧化物(ITO)表面的一个或多个选择的部分上通过无电沉积淀积期望的金属层的方法。这些选择的部分典型地是ITO的透明导电通路。该方法包括多个步骤。第一步包括将掩模层贴附到表面上，该掩模层具有一个或多个形成于其内的孔，从而暴露表面的一个或多个选择的部分。下一步包括将表面的一个或多个选择的部分暴露于适合吸附于基质表面并提高在其上期望金属层的沉积的催化颗粒的胶体悬浮液。下一步包括将表面的一个或多个选择的部分暴露于包含期望金属离子的离子溶液，以使得金属层能形成。

主权项

1、一种在基质表面的一个或多个选择的部分上无电沉积期望的金属层的方法，其中该方法包括如下步骤：●将掩模层贴附到该表面上，所述掩模层具有一个或多个形成于其内的孔，从而暴露表面的一个或多个选择的部分；●将表面的一个或多个选择的部分暴露于适合附着于基质表面并增强期望金属层沉积在上面的催化粒子的胶体悬浮液；及●将表面的一个或多个选择的部分暴露于包含期望金属离子的离子溶液中，以使得金属层形成。