[发明专利]高功率半导体激光二极管及其制造方法

摘要

半导体激光二极管，特别是高功率脊形波导激光二极管，经常用于光电子领域，其作为所谓的泵浦激光二极管用于光通信线路中的光纤放大器。为了给这样的激光二极管提供需要的高功率输出和稳定性，并且避免在使用期间的老化，本发明考虑的是使用该器件的改进设计方案，其改进尤其包括激光器脊形波导的新颖设计。实质上，该新颖设计包含具有至少两个直分段的分段脊形波导，即带有恒定的、但横截面或宽度不同的分段，还包含至少一个连接这两个不同直分段的、向外展开的分段。进一步的改进可以通过将这一装置与共同未决的标题为“高功率半导体激光二极管”的美国专利申请US09/852994所描述的名为“非泵浦式末端部分”的激光二极管设计相结合而实现。对于有利的制造工艺而言，优选的是带有三个直分段的分段脊形波导设计方案，其中至少两个分段的横截面或宽度不同，并且两个向外展开的分段连接不同的直分段。后一种设计方案导致了同样的晶片图案和同样方向的激光二极管结构，因此允许使用标准的制造工艺。

主权项

1、一种带有有源区的半导体激光二极管，包括具有前、后小平面的脊形波导，其中所述脊形波导包括沿其纵向延伸的至少三个不同的分段：以基本上恒定的第一横截面延伸的中央分段，和朝向所述小平面之一变宽的第一锥形分段，和在小平面处的以基本上恒定的第二横截面延伸的末端分段，第二横截面大于所述第一横截面。