[发明专利]曝光设备以及使用该曝光设备的器件制造方法无效
| 申请号： | 03809090.2 | 申请日： | 2003-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN1647249A | 公开（公告）日： | 2005-07-27 |
| 发明（设计）人： | 樋浦充;辻俊彦 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F7/20;G21K1/06;G21K5/02 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 李春晖 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种曝光设备，将激励激光照射到靶上，并由所产生的等离子体产生用于生成远紫外区或者X射线区的照射光的光源，该曝光设备包括：照射光学系统，使用所述照射光照射形成要转移的图案的反射初缩掩模版，该照射光学系统包括最接近所述光源的第一反射镜；椭球面反射镜，用于在所述照射光学系统中的所述第一反射镜之前会聚所述照射光；以及投影光学系统，将在所述初缩掩模版上反射的图案缩小并投影到要被曝光的对象上，其中，在所述激励激光的光轴方向超过由激励激光产生等离子体的位置的地方的光不干扰包括所述照射和投影光学系统和所述椭球面反射镜的所述曝光设备中的部件。 | ||
| 搜索关键词： | 曝光 设备 以及 使用 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种曝光设备，将激励激光照射到靶上，并由所产生的等离子体产生用于生成远紫外区或者X射线区的照射光的光源，该曝光设备包括：照射光学系统，使用所述照射光照射形成要转移的图案的反射初缩掩模版，该照射光学系统包括最接近所述光源的第一反射镜；椭球面反射镜，用于在所述照射光学系统中的所述第一反射镜之前会聚所述照射光；以及投影光学系统，将在所述初缩掩模版上反射的图案缩小并投影到要被曝光的对象上，其中，在所述激励激光的光轴方向超过由激励激光产生等离子体的位置的地方的光不干扰包括所述照射和投影光学系统和所述椭球面反射镜的所述曝光设备中的部件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
