[发明专利]使用单晶体管的高密度半导体存储单元和存储器陈列有效
| 申请号： | 03809184.4 | 申请日： | 2003-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN101095238A | 公开（公告）日： | 2007-12-26 |
| 发明（设计）人： | J·Z·彭;D·方 | 申请（专利权）人： | 基洛帕斯技术公司 |
| 主分类号： | H01L29/94 | 分类号： | H01L29/94;H01L31/062 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴立明;梁永 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了一种可编程存储单元，包括位于列位线和行字线的交叉点处的晶体管。该晶体管的栅极由列位线形成，其源极连接到行字线。通过在列位线和行字线之间施加电压势，而在该晶体管的栅极下面的衬底中产生被编程的n+区，从而对所述存储单元编程。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 晶体管 高密度 半导体 存储 单元 存储器 陈列 | ||
【主权项】：
1.一种用在具有列位线和行字线的存储器阵列中的可编程存储单元，该存储单元包括：晶体管，具有栅极、在衬底上和栅极之间的栅极电介质，以及第一和第二掺杂半导体区，其形成在所述衬底中与所述栅极相邻，并相互隔开从而限定在其间和所述栅极下的沟道区，所述栅极由所述列位线之一形成；以及耦合到晶体管的第二掺杂半导体区的行字线段，所述行字线段连接到所述行字线之一。
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