[发明专利]具连接层之集成电路装置及其制造方法有效
| 申请号： | 03809513.0 | 申请日： | 2003-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN1650427A | 公开（公告）日： | 2005-08-03 |
| 发明（设计）人： | H·－J·巴思;J·霍尔滋 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术股份公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴立明;张志醒 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 解释其中由介电物质制成之中介层(160)被安置于两金属层(102及104)间之电路装置。该中介层(160)系以该连接层(102，104)间之每单位面积电容大于0.5fF/μm2之方式来设计。 | ||
| 搜索关键词： | 连接 集成电路 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.集成电路装置(10，100)，具有被安置于半导体衬底(12)中之组件，具有两连接层(102，104)，其各包含至少一导电连接区段(148，170)，其为导电连接至一组件之部分，及具有由至少一介电物质制成之一中介层(160，400)，该中介层系被安置于该连接层(102，104)之间，该中介层(160，400)可界定该连接层(102，104)间之每单位面积电容，其特征在于该中介层(160，400)系以该连接层(102，104)间之该每单位面积电容大于0.5fF/μm2或大于0.7fF/μm2或约2.0fF/μm2之方式来设计。
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