[发明专利]半导体晶片的制造方法及晶片有效

专利信息
申请号: 03809715.X 申请日: 2003-04-24
公开(公告)号: CN1650404A 公开(公告)日: 2005-08-03
发明(设计)人: 木田隆广;宫崎诚一;西村和彦;林伸之;新井克典 申请(专利权)人: 信越半导体株式会社
主分类号: H01L21/304 分类号: H01L21/304
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 汪惠民
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种半导体晶片的制造方法及晶片外周部没有环状的塌边的晶片。本发明具有按照镜面研磨至原料晶片的背面的倒角部边界的面内侧的一部分的方式进行背面部分研磨及镜面倒角的背面部分研磨镜面倒角工序、支撑进行了背面部分研磨及镜面倒角的晶片的背面并对该晶片的表面进行镜面研磨的表面研磨工序。由此,在对进行了碱性蚀刻的晶片进行研磨时,不会在晶片外周部产生环状的塌边。
搜索关键词: 半导体 晶片 制造 方法
【主权项】:
1.一种半导体晶片的制造方法,其特征是,具有按照镜面研磨至原料晶片的背面的倒角部边界的面内侧的一部分的方式进行背面部分研磨及镜面倒角的背面部分研磨镜面倒角工序、支撑进行了背面部分研磨及镜面倒角的晶片的背面并对该晶片的表面进行镜面研磨的表面研磨工序。
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