[发明专利]高压开关器件和形成该器件的工艺有效
| 申请号： | 03809754.0 | 申请日： | 2003-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN1656616A | 公开（公告）日： | 2005-08-17 |
| 发明（设计）人： | 杰弗里·S·弗林;乔治·R·布兰德斯;罗伯特·P·沃多 | 申请（专利权）人： | 克利公司 |
| 主分类号： | H01L29/205 | 分类号： | H01L29/205;H01L29/778;H01L29/868;H01L31/0304;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 钟强;谷惠敏 |
| 地址： | 美国北卡*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及多种开关器件结构，包括肖特基二极管(10)、P－N二极管和P－I－N二极管，其特征在于低的缺陷密度、低的裂化密度、低的孔蚀密度和在传导GaN层(14)上生长的具有低掺杂剂浓度(＜1E16cm－3)的足够厚度(＞2.5μm)的GaN层(16)。该器件基本上能够在异质外延衬底上获得较高的击穿电压(＜2kV)，并且能够在同质外延衬底上获得极高的击穿电压(＞2kV)。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 开关 器件 形成 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种微电子器件结构，包括(a)具有顶表面的第一传导GaN基层，所述顶表面的特征在于位错缺陷密度不大于约5×106/cm2；(b)具有不大于约1×1016/cm3的掺杂剂浓度的第二GaN层，其形成于所述传导GaN基层的顶层上；和(c)至少一个在所述第一GaN层上的金属接触，其形成与该第一GaN层的金属-半导体结。
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