[发明专利]包含底栅极薄膜晶体管的电子器件及其制造方法无效
| 申请号： | 03809844.X | 申请日： | 2003-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN1650435A | 公开（公告）日： | 2005-08-03 |
| 发明（设计）人： | N·D·扬 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/20;H01L21/336;H01L21/84;H01L29/49 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 肖春京 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种包含底栅极TFT(12)的电子器件的制造方法，该方法包括以下步骤：在衬底上形成一个掺杂的非晶体硅栅极层(26′)，此栅极层限定栅极(26)，在栅极上形成一个栅极绝缘层(32)，在栅极绝缘层上形成一个非晶体硅活性层(28′)并覆盖至少部分栅极，并将非晶体硅活性层退火以形成多晶硅活性层(28)。可以采用较薄的栅极绝缘层使TFT具有低的阈电压。 | ||
| 搜索关键词： | 包含 栅极 薄膜晶体管 电子器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造包含底栅极薄膜晶体管(12)的电子器件的方法，它包括以下步骤：---在衬底(30)上形成一个掺杂非晶体硅栅极层(26′)，所述栅极层确定栅极(26)；---在栅极上形成一个栅极绝缘层(32)；---在栅极绝缘层上形成一个非晶体硅活性层(28′)并覆盖栅极的至少一部分；以及---将非晶体硅活性层退火以形成多晶硅活性层(28)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于皇家飞利浦电子股份有限公司，未经皇家飞利浦电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/03809844.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
