[发明专利]用于在聚合物基底上产生沟状结构的方法无效

专利信息
申请号: 03809854.7 申请日: 2003-04-01
公开(公告)号: CN1650678A 公开(公告)日: 2005-08-03
发明(设计)人: S·勒斯亚克;H·德施托伊尔;潘伟 申请(专利权)人: 西门子公司
主分类号: H05K3/00 分类号: H05K3/00;B23K26/38
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 苏娟;赵辛
地址: 德国*** 国省代码: 德国;DE
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摘要: 为了在一个尤其由玻璃纤维强化的基底(1)中产生一个具有陡峭且无残渣的侧壁的沟状结构,使所述基底配有一个正形掩膜(10),该掩膜具有对应于要产生的沟状结构(3)的凹槽。在此激光辐射(15)如此穿过掩膜的凹槽进行导引,使得激光辐射(FL)的少能量的边缘区域(5)被屏蔽,并且使在聚合物表面上出现的激光辐射分量(4)在每个点上都具有一个在一个阈值(FG)以上的能量密度,其中将所述基底材料、包括必要时存在的玻璃纤维强化材料在内完全去除掉。
搜索关键词: 用于 聚合物 基底 产生 结构 方法
【主权项】:
1.用于在一个聚合物—基底(1)的表面中通过以一个给定波长的激光的辐射来产生一个沟状结构的方法,该方法具有下列步骤:—在基底(1)的表面上设置一个由一种对于激光辐射进行反射的材料所制成的正形掩膜(10;20),该掩膜具有对应于要产生的沟状结构(3;16;22)的凹槽(11;21),—然后将激光辐射(15)导引穿过掩膜(10;20)的凹槽,其中激光辐射至少分别有一次重叠地这样导引穿过每个凹槽(11;14;21)的边界棱边,使得在聚合物表面上出现的激光辐射(15)分量的能量密度在每个点上位于一个可以完全去除基底材料的阈值(FG)之上。
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