[发明专利]热选择交叉点磁性随机存取内存胞元布局无效
| 申请号： | 03810023.1 | 申请日： | 2003-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN1650369A | 公开（公告）日： | 2005-08-03 |
| 发明（设计）人： | R·勒斯奇纳 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术股份公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴立明;张志醒 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明乃与一电阻记忆装置(40)与其制造方法有关。该电阻记忆装置(40)所包含的磁性记忆胞元(14)具有一第二磁性层(20)，其至少包含一第一与第二材料(24/26)；该第二材料(26)的居里温度低于该第一材料(24)的居里温度。复数个非连续第二导线(22)乃配置于该磁性记忆胞元(14)之上。一电流(28)可通过于该第二导线(22)而使该第二材料(26)的温度至一高于该第二材料(26)居里温度的温度，以使该第二材料(26)丧失其铁磁性质，并提升了对内存数组(40)的写入选择性。 | ||
| 搜索关键词： | 选择 交叉点 磁性 随机存取 内存 布局 | ||
【主权项】：
1.一电阻半导体记忆装置，包含：复数第一导线，其位于一第一方向；复数磁性记忆胞元，其配置于该等第一导线上；以及复数第二导线，其配置于该磁性记忆胞元上的一第二方向上，该第二方向与该第一方向不同，其中各该等第二导线是不连续的。
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