[发明专利]用于保持晶片上的接合焊垫超洁净的方法和晶片无效

专利信息
申请号: 03810113.0 申请日: 2003-07-09
公开(公告)号: CN1650420A 公开(公告)日: 2005-08-03
发明(设计)人: 罗伯特·卡罗尔·鲁尼恩;何京臻 申请(专利权)人: 赋权新加坡私人有限公司
主分类号: H01L21/82 分类号: H01L21/82;B28D5/02
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 代理人: 王允方;刘国伟
地址: 新加坡*** 国省代码: 新加坡;SG
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明教示一种在芯片上具有超洁净接合焊垫的被切割开的晶片,其增强了引线接合的强度,并导致了封装半导体芯片的较高的成品率和提高的可靠性。准备用于切片的洁净晶片涂覆有可去除的绝缘水溶性非电离薄膜,该薄膜增强了切口的洁净度并减少了堆积。通过加热来硬化保护膜,并且其可抵抗被用在划片机中的冷却水去除。然而,切片后在晶片洗净器中利用高压温热的去离子水(D.I.水)可将保护膜去除。去除保护膜后该电极焊垫实质上与切片之前一样洁净。该薄膜可在切割开的晶片准备使用之前一直用作保护层。
搜索关键词: 用于 保持 晶片 接合 焊垫超 洁净 方法
【主权项】:
1.一种保护晶片接合焊垫在切单或切片期间不受硅晶片粉尘和杂质污染的方法,包括如下步骤:提供一安装于一切片带上的待切割的洁净晶片;将一中性硬化水溶性薄膜施加到待切割的晶片表面之上;切割穿过所述水溶性薄膜和所述晶片并部分地进入所述切片带;使用洁净冷却水冷却所述的晶片,同时在不去除水溶性薄膜的情况下切割晶片,利用高压洁净的温暖的去离子水在一晶片洗净器中清洗所述晶片,以从单个被切割芯片的表面及所述晶片切口处去除所述中性的硬化水溶性薄膜;以及在从安装于所述切片带上的所述晶片处移去单个芯片前干燥所述晶片。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于赋权新加坡私人有限公司,未经赋权新加坡私人有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/03810113.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top