[发明专利]等离子体辅助碳结构的形成无效
| 申请号： | 03810273.0 | 申请日： | 2003-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN1652867A | 公开（公告）日： | 2005-08-10 |
| 发明（设计）人： | S·库马尔;D·库马尔 | 申请（专利权）人： | 达纳公司 |
| 主分类号： | B01J19/08 | 分类号： | B01J19/08 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 杨晓光;李峥 |
| 地址： | 美国俄*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了用于合成碳结构的用于激发、调节和维持等离子体的方法和装置。在一个实施例中，提供了用于合成碳结构的方法，包括在等离子体催化剂存在的情况下，通过使气体受到电磁辐射来形成等离子体，将至少一种含碳材料加入所述等离子体以在衬底上生长碳结构。本发明中还提供了多种类型的等离子体催化剂。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 辅助 结构 形成 | ||
【主权项】：
1.一种合成包括碳原子的第一预定结构的方法，该方法包括：在等离子体催化剂存在的情况下，通过使至少第一气体受到电磁辐射在第一腔中形成第一等离子体，其中辐射的频率小于约333GHz；将含碳材料加入所述等离子体；以及在衬底表面生长所述预定结构。
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