[发明专利]处理装置状态或处理结果的预测方法有效
申请号: | 03810355.9 | 申请日: | 2003-05-08 |
公开(公告)号: | CN1653598A | 公开(公告)日: | 2005-08-10 |
发明(设计)人: | 坂野真治;原田智 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的等离子体处理结果的预测方法,是比较以下两个残差:基于处理装置清洗前的第一标准处理的主分量分析模型而得到的残差和基于该处理装置清洗后的或另外的处理装置的第二标准处理的主分量分析模型而得到的残差,从而确定加权基准并据此构筑第二标准处理的主分量分析模型而预测处理结果。 | ||
搜索关键词: | 处理 装置 状态 结果 预测 方法 | ||
【主权项】:
1.一种处理结果的预测方法,其特征在于,包括:使用某一状态的第一处理装置,对于多个被处理体,进行规定的第一标准处理的工序;在所述第一标准处理中,通过设置在所述第一处理装置中的多个检测器,获得多个检测数据的工序;使用所述第一标准处理中获得的多个检测数据,进行某一多变量解析,从而设定多个检测数据的加权基准的工序;使用另一状态的所述第一处理装置或另外的同种类的第二处理装置,对与所述多个被处理体同样的多个被处理体,进行与所述第一标准处理同样的第二标准处理的工序;在所述第二标准处理中,通过设置在所述第一处理装置或所述第二处理装置中的多个检测器,获得多个检测数据的工序;根据所述加权基准来加权所述第二标准处理中获得的多个检测数据后,套用在所述多变量解析中的工序;以及根据所述多变量解析的结果,预测所述第二标准处理的处理结果的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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