[发明专利]由五环呫吨鎓染料组成的光学存储介质

摘要

本发明涉及一种由基底、反射层和记录层组成的光学记录介质，其中记录层由式(I)、(II)、(III)的化合物所组成，式中的R₁至R₁₃分别可以是氢或不同的取代基，而R₁和R₁₁不同时为氢；Y^m－是无机、有机和有机金属阴离子或者它们的混合物；Zⁿ⁺是质子和金属阳离子、铵阳离子或阳离子或它们的化合物；m，n和o各自分别表示1至3的整数；和p和q各自为0至4的数，o，p和q彼此的比例取决于有关的次级结构的电荷以使式(I)(II)或(III)没有多余的正和负电荷。另一发明点是在制备有有机金属阴离子的式(I)(II)或(III)的化合物时采用了高氯酸呫吨酯，而且在通过旋涂在刻了槽的基底上加染料层时使用了乳酸酯。

主权项

1.一种光学记录介质，其特征在于它是由基底、反射层和记录层组成的，所述记录层是由式(I)、(II)或(III)所组成，式中，R₁和R₁₁各自分别为氢；未取代或由卤、NO₂、CN、NR₁₄R₁₅、NR₁₄R₁₅R₁₆⁺、NR₁₄COR₁₅、NR₁₆CONR₁₄R₁₅、OR₁₄、SR₁₄、COO^-、COOH、COOR₁₄、CHO、CR₁₆OR₁₄OR₁₅、COR₁₄、SO₂R₁₄、SO₃^-、SO₃H、SO₃R₁₄或OSiR₁₆R₁₇R₁₈单取代或多取代的C₁～C₂₄烷基、C₂～C₂₄烯基、C₂～C₂₄炔基、C₃～C₂₄环烷基、C₃～C₂₄环烯基或C₃～C₁₂杂环烷基、或未取代或由卤、NO₂、CN、NR₁₄R₁₅、NR₁₄R₁₅R₁₆⁺、NR₁₄COR₁₅、NR₁₆CONR₁₄R₁₅、R₁₄、OR₁₄、SR₁₄、CHO、CR₁₆OR₁₄OR₁₅、COR₁₄、SO₂R₁₄、SO₃^-、SO₃R₁₄、SO₂NR₁₄R₁₅、COO^-、COOR₁₄、CONR₁₄R₁₅、PO₃^-、PO(OR₁₄)(OR₁₅)、SiR₁₆R₁₇R₁₈、OSiR₁₆R₁₇R₁₈或SiOR₁₆R₁₇R₁₈单取代或多取代的C₇～C₁₈芳烷基、C₆～C₁₄芳基或C₄～C₁₂杂芳基且限定R₁和R₁₁不同时为氢；R₂、R₃、R₉和R₁₀各自分别为未取代或由卤、OR₁₆、SR₁₆、NO₂、CN、NR₁₉R₂₀、COO^-、COOH、COOR₁₆、SO₃^-、SO₃H或SO₃R₁₆单取代或多取代的C₁～C₁₂烷基，其中，R₂和R₃和/或R₉和R₁₀可以是直接键合或经过-O-、-S-、-NR₂₁-桥彼此键合成对，以形成5-至12-元环；R₄和R₈各自分别为未取代或由卤、R₂₁、OR₂₁、SR₂₁、NO₂、CN、NR₂₂R₂₃、COO^-、COOH、COOR₂₁、SO₃^-、SO₃H或SO₃R₂₁单取代或多取代的C₁～C₃亚烷基或C₂～C₃亚烯基；R₅、R₇、R₁₂和R₁₃各自分别为氢、卤、OR₂₄、SR₂₄、NO₂或NR₂₄R₂₅或各自为未取代或由卤、OR₂₄、SR₂₄、NO₂、CN或NR₂₄R₂₅单取代或多取代的C₁～C₂₄烷基、C₂～C₂₄烯基、C₂～C₂₄炔基、C₃～C₂₄环烷基、C₃～C₂₄环烯基、C₃～C₁₂杂环烷基或C₇～C₁₈芳烷基；R₆是氢；(CH₂)_kCOO^-、(CH₂)_kCOOR₂₆、未取代或由卤、NR₂₆R₂₇或OR₂₇单取代或多取代的C₁～C₂₄烷基、C₂～C₂₄烯基、C₂～C₂₄炔基、C₃～C₂₄环烷基或C₃～C₂₄环烯基，或未取代或由卤、NO₂、CN、NR₂₆R₂₇、SO₃^-、SO₃R₂₆、SO₂NR₂₆R₂₇、COO^-、(CH₂)_kOR₂₆，(CH₂)_kOCOR₂₆、COOR₂₆、CONR₂₆R₂₇、OR₂₆、SR₂₆、PO₃^-、PO(OR₂₆)(OR₂₇)或SiR₁₆R₁₇R₁₈单取代或多取代的C₇～C₁₈芳烷基、C₆～C₁₄芳基或C₅～C₁₃杂芳基；R₁₄、R₁₅、R₁₉、R₂₀、R₂₁、R₂₂、R₂₃、R₂₄、R₂₅、R₂₆和R₂₇各自为氢；未取代或由卤、NO₂、CN、NR₁₆R₁₇、NR₁₆R₁₇R₁₈⁺、NR₁₆COR₁₇、NR₁₆CONR₁₇R₁₈、OR₁₆、SR₁₆、COO^-、COOH、COOR₁₆、CHO、CR₁₆OR₁₇OR₁₈、COR₁₆、SO₂R₁₆、SO₃^-、SO₃H、SO₃R₁₆或OSiR₁₆R₁₇R₁₈单取代或多取代的C₁～C₂₄烷基、C₂～C₂₄烯基、C₂～C₂₄炔基、C₃～C₂₄环烷基、C₃～C₂₄环烯基或C₃～C₁₂杂环烷基；或未取代或由卤、NO₂、CN、NR₁₆R₁₇、NR₁₆R₁₇R₁₈⁺、NR₁₆COR₁₇、NR₁₆CONR₁₇R₁₈、R₁₆、OR₁₆、SR₁₆、CHO、CR₁₆OR₁₇OR₁₈、COR₁₆、SO₂R₁₆、SO₃^-、SO₂NR₁₆R₁₇、COO^-、COOR₁₈、CONR₁₆R₁₇、PO₃^-、PO(OR₁₆)(OR₁₇)、SiR₁₆R₁₇R₁₈、OSiR₁₆R₁₇R₁₈或SiOR₁₆OR₁₇OR₁₈单取代或多取代的C₇～C₁₈芳烷基、C₆～C₁₄芳基或C₅～C₁₃杂芳基，或NR₁₄R₁₅、NR₁₉R₂₀、NR₂₂R₂₃、NR₂₄R₂₅或NR₂₆R₂₇可以是含有额外的N或O原子的五或六元环和可以是为C₁～C₈烷基单或多取代的五或六元环；R₁₆、R₁₇和R₁₈各自为氢、C₁～C₂₀烷基、C₂～C₂₀烯基、C₂～C₂₀炔基或C₇～C₁₈芳烷基，其中R₁₆和R₁₇可以是直接键合或经过-O-、-S-或-N-C₁～C₈烷基-桥彼此键合成对，以形成五或六元环；其中，优选的是从R₁、R₂、R₄、R₅、R₆、R₇、R₈、R₉、R₁₁、R₁₂、R₁₃、R₁₄、R₁₅、R₁₆、R₁₇、R₁₈、R₁₉、R₂₀、R₂₁、R₂₂、R₂₃、R₂₄、R₂₅、R₂₆和R₂₇直接键合或经过-O-、-S-或-N(G)-桥彼此键合成对、或由Y^m-和/或Zⁿ⁺分开的基团中选出的1至4个基团，其中的G是单取代或多取代的C₁～C₂₄烷基、C₂～C₂₄烯基、C₂～C₂₄炔基、C₃～C₂₄环烷基、C₃～C₂₄环烯基、C₃～C₁₂杂环烷基、C₇～C₁₈芳烷基、C₆～C₁₄芳基或C₅～C₁₃杂芳基；Y^m-是无机阴离子、有机阴离子或有机金属阴离子或它们的混合物；Zⁿ⁺是质子或金属阳离子、铵阳离子或  阳离子或它们的混合物；k是1至10的整数；m，n和o各自为1至3的整数；和p和q各自为0至4的数，o、p和q的彼此的比例取决于相关的次级结构的电荷，以使式(I)、(II)或(III)没有过量的正或负电荷。