[发明专利]背面照射型光电二极管阵列及其制造方法

摘要

将半导体基板1的光电二极管的阳极及阴极这两类电极集中在基板的单面上。这可以利用贯穿半导体基板1的孔H将其中一方电气地引导至另一面来实现，半导体基板1通过研磨被薄膜化，因此，可缩短孔H的形成时间。另外，由于贴合有用于对在制造工序中薄膜化的半导体基板进行加固的支撑基板3，所以在加工过程中容易进行晶片的处理，适合于量产化。

主权项

1.一种背面照射型光电二极管阵列的制造方法，其特征在于：包括以下工序：(a)在半导体基板的一面形成高浓度杂质区域的工序；(b)使所述半导体基板的所述一面与支撑基板贴合的工序；(c)对所述半导体基板的另一面进行研磨、从而使所述半导体基板薄膜化的工序；(d)在所述半导体基板的所述另一面形成高浓度杂质区域及多个光电二极管的工序；(e)形成从所述半导体基板的所述另一面的所述高浓度杂质区域到达所述一面的所述高浓度杂质区域的孔的工序；(f)通过所述孔使所述一面和所述另一面的所述高浓度杂质区域电连接的工序；(g)所述工序(f)完成后、除去支撑基板的工序。