[发明专利]等离子体处理设备和等离子体产生方法无效
| 申请号： | 03810611.6 | 申请日： | 2003-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN1653599A | 公开（公告）日： | 2005-08-10 |
| 发明（设计）人： | 石井信雄;八坂保能;高桥应明;安藤真 | 申请（专利权）人： | 东京威力科创股份有限公司;八坂保能;高桥应明;安藤真 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 刘晓峰 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种等离子体处理设备，槽孔(26)的长度(L)在径向方向中从天线表面(28)的中心部分(A)单调增加，并在第一中间部分(C)处达到最大值。从第一中间部分(C)直到周边部分(B)保持该最大值。当与槽孔长度从天线表面(28)的中心部分直到它周边部分单调增加的情况相比较时，从槽孔天线辐射的功率能够增加。因此，不从槽孔天线辐射而是留在它里面的功率减少了，使得来自槽孔天线的反射功率减少了。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 设备 产生 方法 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体处理设备，其特征在于包括：工作台，用于在其上放置目标物体；处理容器，用于容纳所述工作台；和槽孔天线，相对于所述工作台设置，以向所述处理容器中提供电磁场，其中形成在所述槽孔天线的天线表面中许多槽孔的辐射系数、在天线表面的径向方向上、从天线表面的中心部分沿着到周边部分的路径直到第一中间部分单调增加，并且从第一中间部分到周边部分保持在第一中间部分处获得的值。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
