[发明专利]降低晶片翘曲的装置、系统和方法无效
| 申请号： | 03810826.7 | 申请日： | 2003-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN1653594A | 公开（公告）日： | 2005-08-10 |
| 发明（设计）人： | A·小福恩特斯;R·小阿蒂恩扎;C·克拉维奥 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/00;B24B7/22;H01L21/302;H01L21/306 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 邹光新;王勇 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 通常，在背面研磨期间，通过一个带来保护晶片的正面。在背面研磨操作期间静电荷会积聚在该带上。由于变薄的晶片没有足够的刚度抵抗由静电荷积聚产生的弯曲力，所以在背面研磨操作之后，晶片会翘曲。为了减小晶片的翘曲，可以将电离气体引导到晶片和带上，以减少静电荷的积聚。 | ||
| 搜索关键词： | 降低 晶片 装置 系统 方法 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包括：将电离气体引导到衬底以减小衬底的翘曲，该电离气体减少了静电荷的积聚。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
