[发明专利]高性能光学存储介质

摘要

本发明涉及一种包括基层、反射层和记录层的光学记录介质，其中所述记录层包括下式的化合物：其中R₁到R₁₁可为氢或各种取代基，但是R₁和R₉并不同时为氢；Y^m－为无机、有机或有机金属阴离子，或它们的混合物；Zⁿ⁺为质子或金属、铵或鏻阳离子，或它们的混合物；m、n和o各自独立为1到3的整数；和p和q各为0到4的一个数，o、p和q的相互比率取决于相关的亚结构的电荷，以使式(I)、(II)或(III)中没有过量的正电荷或负电荷。本发明还公开了呫吨高氯酸盐在制备具有有机金属阴离子的式(I)、(II)或(III)的化合物中的用途，和乳酸盐在具式(I)、(II)或(III)的化合物的染料层通过旋涂施加到具槽基层上的用途。

主权项

1.一种包括基层、反射层和记录层的光学记录介质，其中所述记录层包括下式的化合物：或其中R₁、R₂、R₈和R₉各自独立地为C₁-C₁₂烷基，未被取代或被卤素、OR₁₂、SR₁₂、NO₂、CN、NR₁₃R₁₄、COOR₁₅、SO₃^-、SO₃H或SO₃R₁₂单次取代或多次取代，其中R₁和R₂和/或R₈和R₉经化学键或桥基-O-、-S-或-NR₁₆-成对相互连接而形成5到12元环；R₃和R₇各自独立地为C₁-C₃亚烷基和C₂-C₃亚烯基，各未被取代或被卤素、R₁₆、OR₁₆、SR₁₆、NO₂、CN、NR₁₇R₁₈、COOR₁₆、SO₃^-、SO₃H或SO₃R₁₆单次取代或多次取代；R₄、R₆、R₁₀和R₁₁各自独立地为氢、卤素、OR₁₉、SR₁₉、NO₂、NR₁₉R₂₀；或C₁-C₂₄烷基、C₂-C₂₄链烯基、C₂-C₂₄炔基、C₃-C₂₄环烷基、C₃-C₂₄环烯基或C₇-C₁₈芳烷基，各未被取代或被卤素、OR₁₉、SR₁₉、NO₂、CN或NR₁₉R₂₀单次取代或多次取代；R₅为氢；(CH₂)_kCOOR₂₁、C₁-C₂₄烷基、C₂-C₂₄链烯基、C₂-C₂₄炔基、C₃-C₂₄环烷基或C₃-C₂₄环烯基，各未被取代或被卤素、NR₂₁R₂₂或OR₂₂单次取代或多次取代；或C₇-C₁₈芳烷基或C₆-C₁₄芳基，各未被取代或被卤素、NO₂、CN、NR₂₁R₂₂、SO₃^-、SO₃R₂₁、SO₂NR₂₁R₂₂、(CH₂)_kOR₂₁、(CH₂)_kOCOR₂₁、COOR₂₁、CONR₂₁R₂₂、OR₂₁、SR₂₁、PO₃^-、PO(OR₂₁)(OR₂₂)或SiR₁₅R₂₃R₂₄单次取代或多次取代；R₁₂、R₁₃、R₁₄、R₁₆、R₁₇、R₁₈、R₁₉、R₂₀、R₂₁和R₂₂各自独立为氢、C₁-C₂₄烷基、C₂-C₂₄链烯基、C₂-C₂₄炔基、C₃-C₂₄环烷基、C₃-C₂₄环烯基或C₃-C₁₂杂环烷基，各未被取代或被卤素、NO₂、CN、NR₁₅R₂₃、NR₁₅R₂₃R₂₄⁺、NR₁₅COR₂₃、NR₁₅CONR₂₃R₂₄、OR₁₅、SR₁₅、COOR₁₅、CHO、CR₁₅OR₂₃OR₂₄、COR₁₅、SO₂R₁₅、SO₃^-、SO₃H、SO₃R₁₅或OSiR₁₅R₂₃R₂₄单次取代或多次取代；或C₇-C₁₈芳烷基、C₆-C₁₄芳基或C₅-C₁₃杂芳基，各未被取代或被卤素、NO₂、CN、NR₁₅R₂₃、NR₁₅R₂₃R₂₄⁺、NR₁₅COR₂₃、NR₁₅CONR₂₃R₂₄、R₁₅、OR₁₅、SR₁₅、CHO、CR₁₅OR₂₃OR₂₄、COR₁₅、SO₂R₁₅、SO₃^-、SO₂NR₁₅R₂₃、COOR₂₄、CONR₁₅R₂₃、PO₃^-、PO(OR₁₅)(OR₂₃)、SiR₁₅R₂₃R₂₄、OSiR₁₅R₂₃R₂₄或被SiOR₁₅OR₂₃OR₂₄单次取代或多次取代；或NR₁₃R₁₄、NR₁₇R₁₈、NR₁₉R₂₀或NR₂₁R₂₂为5或6元杂环，其可包括另外的N或O原子并可被C₁-C₈烷基单取代或多取代；R₁₅、R₂₃和R₂₄各自独立为氢、C₁-C₂₀烷基、C₂-C₂₀链烯基、C₂-C₂₀炔基或C₇-C₁₈芳烷基，其中R₁₅和R₂₃可经化学键或桥基-O-、-S-或-NC₁-C₈烷基-相互连接而形成5或6元环；其中任选1到4个选自R₁、R₂、R₃、R₄、R₅、R₆、R₇、R₈、R₉、R₁₀、R₁₁、R₁₂、R₁₃、R₁₄、R₁₅、R₁₆、R₁₇、R₁₈、R₁₉、R₂₀、R₂₁、R₂₂、R₂₃和R₂₄的基团可经化学键或桥基-O-、-S-或-N(G)-成对连接，或可分别与Y^m-和/或Zⁿ⁺连接，G为单或多取代的C₁-C₂₄烷基、C₂-C₂₄链烯基、C₂-C₂₄炔基、C₃-C₂₄环烷基、C₃-C₂₄环烯基、C₃-C₁₂杂环烷基、C₇-C₁₈芳烷基、C₆-C₁₄芳基或C₅-C₁₃杂芳基；Y^m-为无机、有机或有机金属阴离子，或它们的混合物；Zⁿ⁺为质子或金属、铵或鏻阳离子，或它们的混合物；k为1到10的整数；m、n和o各自独立为1到3的整数；和p和q各为0到4的一个数，o、p和q的相互比率取决于相关的亚结构的电荷，以使式(I)、(II)或(III)中没有过量的正电荷或负电荷。