[发明专利]于镶嵌结构中制造磁性随机存取内存补偿单元的方法无效
| 申请号： | 03811128.4 | 申请日： | 2003-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN1653549A | 公开（公告）日： | 2005-08-10 |
| 发明（设计）人： | X·J·宁 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术股份公司 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15;G11C11/16 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 程天正;梁永 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 一种制造一补偿MRAM装置(110)的方法，其包含在一单一蚀刻制程中，利用两光阻层来图形化一磁性堆叠层，以形成补偿导线(158)与磁性存储单元(160)，或是图形化一绝缘层以形成通孔(168)以使该磁性存储单元与导线沟槽(170)裸露，或是图形化上述两者。 | ||
| 搜索关键词： | 镶嵌 结构 制造 磁性 随机存取 内存 补偿 单元 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造一电阻半导体存储装置的方法，包含：形成多个第一导线；沉积一第一绝缘层于该等第一导线上；藉由通孔图形化该第一绝缘层，以使其至少一部份之该等第一导线裸露；沉积一磁性堆叠层于该第一绝缘层上及裸露的第一导线；图形化该磁性堆叠层以形成磁性存储单元、以及用于将裸露的第一导线耦合至该磁性存储单元的补偿导线；沉积一第二绝缘层于该磁性存储单元与补偿导线上；形成通孔以使至少一部份该等磁性存储单元裸露，并在该第二绝缘层内部形成导线沟槽；以及以一导电性材料填充该第二绝缘层内之该等通孔与沟槽；其中至少在图形化该磁性堆叠层以形成磁性存储单元与补偿导线、或是形成通孔以使至少一部份该等磁性存储单元裸露并在该第二绝缘层内部形成导线沟槽的其中之一会包含一单一蚀刻制程。
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