[发明专利]多层集成电路封装有效
| 申请号： | 03811318.X | 申请日： | 2003-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN1653874A | 公开（公告）日： | 2005-08-10 |
| 发明（设计）人： | 博伊德·库马;迈克尔·沃克 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H05K3/46 | 分类号： | H05K3/46;H05K3/44 |
| 代理公司： | 北京英特普罗知识产权代理有限公司 | 代理人： | 齐永红 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 粘结材料被施加到金属核心层的表面上。从所述金属核心层的导电区域中去除所述粘结材料。在所述金属核心层的导电区域上提供金属接触体。所述金属核心层被层压到压印内建层，该内建层具有介电区域和导电区域，其中所述金属核心层的非导电区域被结合到所述内建层的介电区域，并且所述金属核心层的导电区域被结合到所述压印内建层的导电区域。 | ||
| 搜索关键词： | 多层 集成电路 封装 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包括：将粘结材料施加到金属核心层上；从所述金属核心层的导电区域中去除所述粘结材料；在所述金属核心层的所述导电区域中提供金属接触体；以及将所述金属核心层层压到内建层，所述内建层具有介电区域和导电区域，其中所述金属核心层的非导电区域被结合到所述内建层的所述介电区域，并且所述金属核心层的所述导电区域被结合到所述内建层的所述导电区域。
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