[发明专利]具有嵌入在背面金刚石层中的元件的半导体器件有效
| 申请号： | 03811350.3 | 申请日： | 2003-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN1653611A | 公开（公告）日： | 2005-08-10 |
| 发明（设计）人： | 达米昂·瑟尔斯;普拉替克·杜贾里;连斌 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L23/373 | 分类号： | H01L23/373;H01L23/64 |
| 代理公司： | 北京英特普罗知识产权代理有限公司 | 代理人： | 齐永红 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种半导体衬底，在其正面具有集成电路，在其背面具有(比如金刚石)高热导材料层，在所述高导热材料层中嵌入元件，比如电容器，这些元件通过穿过衬底的通路被耦合到正面的集成电路。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 嵌入 背面 金刚石 中的 元件 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种装置，包括：具有正面和背面的半导体衬底，在所述正面上可以制作有源器件层；耦合到所述半导体衬底背面的金刚石导热层；被嵌入在所述金刚石导热层中的背面元件；以及将所述背面元件电连接到所述半导体衬底正面的通路。
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