[发明专利]使用通过加热的化学反应和扩散制造化合物半导体和化合物绝缘体的方法、使用该方法制造的化合物半导体和化合物绝缘体、以及使用该化合物半导体和化合物绝缘体的光电池、电子电路、晶体管和储存器有效
| 申请号： | 03811443.7 | 申请日： | 2003-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN1656607A | 公开（公告）日： | 2005-08-17 |
| 发明（设计）人： | 金朱镐;富永淳二 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社;独立行政法人产业技术总合研究所 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李晓舒;魏晓刚 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供使用通过加热引发的化学反应和扩散制造化合物半导体和化合物绝缘体的方法，使用该方法形成的化合物半导体和化合物绝缘体，以及包括该化合物半导体或化合物绝缘体的光电池、电子电路、晶体管和存储器。制造化合物半导体或化合物绝缘体的该方法包括：形成叠层结构，其包括置于含氧和/或硫的电介质层之间的对氧和/或硫是高度活性的稀土过渡金属中间层；以及加热该叠层结构，从而在电介质层与中间层之间引发化学反应和扩散，其中为了化合物半导体和化合物绝缘体，在不同温度下进行该加热。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 通过 加热 化学反应 扩散 制造 化合物 半导体 绝缘体 方法 以及 光电池 电子电路 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造化合物半导体的方法，该方法包括：形成叠层结构，该叠层结构包括置于含氧和/或硫的电介质层之间的对氧和/或硫是高度活性的稀土过渡金属中间层；以及加热该叠层结构从而在该电介质层与该中间层之间引发化学反应和扩散。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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