[发明专利]RF功率放大器无效

专利信息
申请号: 03811490.9 申请日: 2003-05-19
公开(公告)号: CN1656674A 公开(公告)日: 2005-08-17
发明(设计)人: R·科斯特;J·J·胡格;N·克拉默;R·M·希尔雷斯 申请(专利权)人: 皇家飞利浦电子股份有限公司
主分类号: H03F3/21 分类号: H03F3/21
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 傅康;王忠忠
地址: 荷兰艾*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要: 根据本发明的RF功率放大器包括连接到电源的多个并联输出晶体管(HBT,1,1到HBT,1,N)。提供用于输出晶体管(HBT,1,1到HBT,1,N)的多个基极电阻器(Rb,1,1到Rb,1,N)和多个输入电容器(Cb,1到Cb,N),每个输入电容器并联耦合以便接收RF信号输入并经至少一个附加无源部件连接到每个对应输出晶体管(HBT,1,1到HBT,1,N)的输入端。从输出晶体管(HBT,1,1到HBT,1,N)的并联接点获得用于RF输出信号的输出。晶体管(HBT,1,1到HBT,1,N)是异质结双极晶体管。
搜索关键词: rf 功率放大器
【主权项】:
1、一种射频功率放大器,包括:多个放大元件(HBT,1,1...HBT,1,N),每个放大元件具有控制电极、第一主电极和第二主电极,由此放大元件的第一主电极耦合到公共输出节点,放大元件的第二主电极耦合到公共参考节点,每个放大元件的控制电极经各个输入电容器(Cb,1、...Cb,N)耦合到公共射频信号输入节点(RFin)并经各个基极电阻器(Rb,1,1...Rb,1,N)耦合到公共偏置节点(Bias),其特征在于:每个放大元件的控制电极经各个附加无源部件(Rb,2,1...Rb,2,N)耦合到所述各个电容器(Cb,1、...Cb,N)和耦合到所述各个基极电阻器(Rb,1,1...Rb,1,N)。
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