[发明专利]有机半导体材料、有机半导体构造物和有机半导体器件无效

专利信息
申请号: 03811788.6 申请日: 2003-03-26
公开(公告)号: CN1656176A 公开(公告)日: 2005-08-17
发明(设计)人: 半那纯一;岛川彻平;赤田正典;前田博己 申请(专利权)人: 大日本印刷株式会社
主分类号: C08L101/00 分类号: C08L101/00;C08K5/00;H01L29/12;H01L29/786
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 庞立志
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供可形成大面积均一且具有高电荷移动特性的有机半导体层的有机半导体材料和利用该材料制成的有半导体构造物及有机半导体器件。本发明的有机半导体材料是包含高分子化合物和低分子化合物而形成的有机半导体材料,所述高分子化合物的部分侧链具有由所定π电子环构成的骨架结构,所述低分子化合物具有由所定π电子系环构成的骨架结构,两末端的至少一端具有显现液晶性的端基。
搜索关键词: 有机 半导体材料 有机半导体 构造 半导体器件
【主权项】:
1.有机半导体材料,该材料是包含高分子化合物和低分子化合物而形成的,其特征在于所述高分子化合物的部分侧链具有由选自下列的π电子环构成的骨架结构:L个6π电子系环、M个8π电子系环、N个10π电子系环、O个12π电子系环、P个14π电子系环、Q个16π电子系环、R个18π电子系环、S个20π电子系环、T个22π电子系环、U个24π电子系环和V个26π电子系环,其中L、M、N、O、P、Q、R、S、T、U、V分别表示0-6的整数,L+M+N+O+P+Q+R+S+T+U+V=1-6;所述低分子化合物具有由选自上述π电子环组的π电子系环构成的骨架结构,两末端中的至少一端具有显现液晶性的端基。
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