[发明专利]降低接口不平整的硅化镍层有效
| 申请号： | 03811812.2 | 申请日： | 2003-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN1656605A | 公开（公告）日： | 2005-08-17 |
| 发明（设计）人： | E·N·佩顿;P·R·贝瑟;S·S·常;F·N·豪思 | 申请（专利权）人： | 先进微装置公司 |
| 主分类号： | H01L21/285 | 分类号： | H01L21/285;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 戈泊;程伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 透过于下层硅化物(22、26)与硅化镍层(63、64)间形成扩散控制层(61、62)以实现具有显著降低界面不平整的硅化镍(63、64)结构。其包含离子植入氮(31、32)至该基材(20)以与栅电极(22)中，沉积钛或钽薄层(40)，沉积镍层(50)，并接着加热以于该下层硅化物(22、26)与硅化镍层(63、64)间的接口形成包含氮的扩散控制层(61、62)。 | ||
| 搜索关键词： | 降低 接口 平整 硅化镍层 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其包含：硅栅电极(22)，其具有相对的侧边表面以及位于半导体基材(20)上表面上的上表面，于该栅电极(22)的上表面以及半导体基材(20)上表面之间具有栅极电介质层(21)；形成于该栅电极(22)的相对侧边上的半导体基材(20)中的源极/漏极区域(26)；形成于该栅电极(22)的相对侧边上的电介质侧壁间隔(24)；含氮扩散控制层(61、62)，其阻止于该源极/漏极区域(26)以与栅电极(22)的上表面上的镍扩散；以及形成于该含氮扩散控制层(61、62)上的硅化镍层(63、64)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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