[发明专利]用于改善等离子氮化栅极电介质层中氮分布的方法有效
| 申请号： | 03811926.9 | 申请日： | 2003-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN1656604A | 公开（公告）日： | 2005-08-17 |
| 发明（设计）人： | 克里斯托弗·S·奥尔森 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 赵飞 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了一种方法，其中，在一个系统的室中被等离子氮化的栅极电介质薄膜随后在同一系统的另一个室中被加热或“退火”。可以控制处理延迟，使得在系统中被处理的全部晶片经历类似的氮含量。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 改善 等离子 氮化 栅极 电介质 层中氮 分布 方法 | ||
【主权项】：
1.一种处理衬底的方法，包括：当所述衬底位于系统的氮化室中时，将氮加入到形成在所述衬底上的栅极电介质层中；在不将所述衬底传递出所述系统的情况下，将所述衬底传递到所述系统的退火室中；以及当在所述退火室中时，通过将所述衬底加热到比所述衬底在所述氮化室中的温度高的温度，退火所述栅极电介质层。
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- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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