[发明专利]监控处理室中薄膜沉积的方法及设备无效
| 申请号： | 03812181.6 | 申请日： | 2003-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN1656600A | 公开（公告）日： | 2005-08-17 |
| 发明（设计）人： | 吉姆·N.·弗德沃尔特;埃里克·J.·斯特朗;史蒂文·T.·芬克 | 申请（专利权）人： | 东京电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种在处理室中监控室壁上薄膜沉积的设备。该设备包括提供在室壁上的表面声波器件。启动表面声波器件，产生共振频率，并且检测所产生的共振频率，确定是否达到室壁上薄膜的临界厚度，其中共振频率的降低量与室壁薄膜的厚度成正比。当检测的共振频率落在第一预定范围内时，清洗处理室。 | ||
| 搜索关键词： | 监控 处理 薄膜 沉积 方法 设备 | ||
【主权项】：
1、一种监控处理室内室壁上薄膜沉积的设备，所述设备包含适于被提供在紧邻室壁处的表面声波器件。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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