[发明专利]绝缘膜的形成方法无效
| 申请号： | 03812483.1 | 申请日： | 2003-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN1692478A | 公开（公告）日： | 2005-11-02 |
| 发明（设计）人： | 本乡俊明;星野聪彦 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/312 | 分类号： | H01L21/312;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种形成绝缘膜的方法，它包括将低能量等离子体照射配置在电子器件用基片上的固化性材料含有膜，使所述固化性材料含有膜固化。该方法可以用于防止将过分的热加在该膜上，同时形成高质量的导电膜。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 形成 方法 | ||
【主权项】：
1、一种绝缘膜形成方法，其特征为，对配置在电子器件用的基片上的固化性材料含有膜，进行低能量的等离子体照射，使该固化性材料含有膜固化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
