[发明专利]集成电路卡有效
申请号: | 03812485.8 | 申请日: | 2003-05-29 |
公开(公告)号: | CN1656619A | 公开(公告)日: | 2005-08-17 |
发明(设计)人: | 岩田浩;柴田晃秀;足立浩一郎 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | H01L29/788 | 分类号: | H01L29/788;H01L29/792;H01L27/115;H01L21/8247;G06K19/077 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 刘宗杰;梁永 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | IC卡包括由多个存储元件构成的数据存储部503。该存储元件包括:半导体衬底、设置于半导体衬底内的阱区或配置于绝缘体上的半导体膜;在半导体衬底上、设置于半导体衬底内的阱区上或配置于绝缘体上的半导体膜上所形成的栅绝缘膜;在栅绝缘膜上所形成的单一的栅电极;在单一的栅电极侧壁的两侧所形成的2个存储功能体;配置于单一的栅电极下的沟道区;以及配置于上述沟道区的两侧的扩散层区。由此,通过安装使用了可进一步微细化的存储元件的存储器,提供低成本的IC卡。 | ||
搜索关键词: | 集成 路卡 | ||
【主权项】:
1.一种IC卡,它是配备了具有多个存储元件(M11、…、Mmn)的数据存储部(503)的IC卡,其特征在于:上述存储元件(M11、…、Mmn)具备:半导体衬底(111)、设置于半导体衬底内的阱区(202)或配置于绝缘体(188)上的半导体膜(187);在上述半导体衬底(111)上、设置于半导体衬底内的阱区(202)上或配置于绝缘体(188)上的半导体膜(187)上所形成的栅绝缘膜(114、203);在上述栅绝缘膜(114、203)上所形成的单一的栅电极(117、204);在上述单一的栅电极(117、204)侧壁的两侧所形成的2个存储功能体(161、162、162a、231a、231b);配置于上述单一的栅电极(117、204)下的沟道区;以及配置于上述沟道区的两侧的扩散层区(112、113、207a、207b),依赖于保持在上述存储功能体(161、162、162a、231a、231b)内的电荷的多寡或极化矢量,以对上述栅电极(117、204)施加电压时的使从上述一个扩散层区(112、113、207a、207b)流到另一扩散层区(112、113、207a、207b)的电流量变化的方式而构成。
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