[发明专利]半导体存储元件及为此的寿命操作开始装置无效
| 申请号： | 03812559.5 | 申请日： | 2003-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN1656613A | 公开（公告）日： | 2005-08-17 |
| 发明（设计）人： | 黑田和男;柳沢秀一 | 申请（专利权）人： | 日本先锋公司 |
| 主分类号： | H01L27/10 | 分类号： | H01L27/10;G06F12/14;G06K19/077;G06K19/10;H01L51/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 孙志湧;钟强 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种存储器(1)，设置有：地址控制部分(10)；保护膜(11)；特性恶化材料层(12)；数据存储区(14，15，16，17)；以及焊盘(18)。保护膜(11)保护构成半导体电路的有机半导体层并阻止空气中的水分或化学分子、光等侵入有机半导体层。通过损坏保护膜(11)并使用具体的方法开始有机半导体层的恶化，由此开始寿命期间的操作。此外，特性恶化材料层(12)含有用于恶化有机半导体的特性的材料，并且通过扩散材料到有机半导体层中开始有机半导体层的恶化。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 元件 为此 寿命 操作 开始 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储元件，包括：基板；由设置在基板上的有机半导体构成的半导体电路部分；以及邻接半导体电路部分设置的保护部分，保护部分由能够产生裂缝的材料构成，裂缝是由预定方法引起的并延伸到半导体电路部分。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日本先锋公司，未经日本先锋公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/03812559.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：频率电流转换电路、均衡器和光盘设备
- 下一篇：用于进行CVD涂层的回转式机器
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
