[发明专利]研磨液及研磨方法有效
| 申请号： | 03812783.0 | 申请日： | 2003-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN1659688A | 公开（公告）日： | 2005-08-24 |
| 发明（设计）人： | 仓田靖;上方康雄;安西创;寺崎裕树 | 申请（专利权）人： | 日立化成工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人： | 钟晶 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种研磨液，含有金属的氧化剂，金属防蚀剂、氧化金属溶解剂，以及水。该氧化金属溶解剂选自第一可解离酸基的解离常数(PKa)大于等于3.5的酸，这些酸的铵盐及这些酸的有机酸酯中1种或1种以上。该研磨液的pH值在3～4间，且该金属氧化剂的浓度为0.01～3重量％。在半导体元件的配线形成工序中，使用低研粒浓度、低金属防蚀剂浓度的研磨液，因而能够以高研磨速度研磨屏障层使用的导体。 | ||
| 搜索关键词： | 研磨 方法 | ||
【主权项】：
1.一种研磨液，其含有金属的氧化剂、金属防蚀剂、氧化金属溶解剂、以及水，其特征在于，该氧化金属溶解剂选自第一可解离酸性基的解离常数(PKa)大于等于3.5的酸、这些酸的铵盐及这些酸的有机酸酯中1种或1种以上；该研磨液的PH值在3～4之间，且该金属的氧化剂的浓度为0.01～3重量％。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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