[发明专利]在体硅衬底具有增强自对准介电区域的SOI半导体器件的制造方法

摘要

在某一说明性实施例中，本方法包含：在具有体衬底(bulk substrate)、埋入绝缘层(30B)与有源层(30C)的SOI衬底(30)上形成栅极电极(34)，栅极电极(34)具有形成其上的保护层(34A)；以及在形成栅极电极(34)后，在体衬底(30A)中形成复数个介电区域(45)，该介电区域(45)关于栅极电极(34)自对准，且该介电区域(45)的介电常数小于该体衬底(30A)的介电常数。在一个进一步的实施例中，该方法包含：在具有体衬底(30A)、埋入绝缘层(30B)与有源层(30C)的SOI衬底(30)上形成栅极电极(34)，栅极电极(34)具有形成其上的保护层(34A)；在形成栅极电极(34)与保护层(34A)之后，执行至少一次氧注入工艺，使氧原子得以导入体衬底(30A)之中，由此在体衬底(30A)中形成复数个氧掺杂区域(52)；以及执行至少一次退火工艺，使氧植入区域(52)得以在体衬底(30A)中转换为由二氧化硅所构成的介电区域(45)。在某一说明性实施例中，该器件包含形成在SOI结构(30)上的栅极电极(34)以及形成于体衬底(30A)中的由二氧化硅所构成的复数个介电区域(45)，其中该SOI结构(30)具有体衬底(30A)、埋入绝缘层(30B)及有源层(30C)，该介电区域(45)关于栅极电极(34)自对准。

主权项

1.一种方法，包含：在由体衬底(30A)、埋入绝缘层(30B)及有源层(30C)所构成的SOI衬底(30)上形成栅极电极(34)，该栅极电极在其上形成有保护层(34A)；以及在形成栅极电极(34)后即在该体衬底(30A)上形成复数个介电区域(45)，该介电区域(45)关于该栅极电极(34)而自对准，而该介电区域(45)的介电常数小于该体衬底(30A)的介电常数。