[发明专利]单元群组中记忆单元的可变电容无效

专利信息
申请号: 03812888.8 申请日: 2003-06-03
公开(公告)号: CN1659708A 公开(公告)日: 2005-08-24
发明(设计)人: M·贾科布;N·雷姆;高岛大三郎;J·沃赫发尔特 申请(专利权)人: 因芬尼昂技术股份公司;株式会社东芝
主分类号: H01L27/108 分类号: H01L27/108;H01L27/115
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 张雪梅;梁永
地址: 德国*** 国省代码: 德国;DE
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摘要: 一种内存链乃被叙述,其包括依据在该链中的记忆单元位置而有不同电容的电容器。而改变该等电容器的该等电容则有利于使得在该链中的所有记忆单元能够具有大约相同的一有效电容。
搜索关键词: 单元 群组中 记忆 可变电容
【主权项】:
1.一种集成电路(IC),其系包括:多个记忆单元,其中,一个记忆单元包括一电容器,而其会并联地耦接至一晶体管,并且,该等记忆单元会彼此串联地耦接以形成具有第一以及第二端的一链群组;一位线,其耦接至该链群组的该第一端;以及其中,该等记忆单元的该等电容器具有不同的电容,以补偿在该链群组中的不同记忆单元所经历的不同负载。
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