[发明专利]单元群组中记忆单元的可变电容无效
申请号: | 03812888.8 | 申请日: | 2003-06-03 |
公开(公告)号: | CN1659708A | 公开(公告)日: | 2005-08-24 |
发明(设计)人: | M·贾科布;N·雷姆;高岛大三郎;J·沃赫发尔特 | 申请(专利权)人: | 因芬尼昂技术股份公司;株式会社东芝 |
主分类号: | H01L27/108 | 分类号: | H01L27/108;H01L27/115 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 张雪梅;梁永 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 一种内存链乃被叙述,其包括依据在该链中的记忆单元位置而有不同电容的电容器。而改变该等电容器的该等电容则有利于使得在该链中的所有记忆单元能够具有大约相同的一有效电容。 | ||
搜索关键词: | 单元 群组中 记忆 可变电容 | ||
【主权项】:
1.一种集成电路(IC),其系包括:多个记忆单元,其中,一个记忆单元包括一电容器,而其会并联地耦接至一晶体管,并且,该等记忆单元会彼此串联地耦接以形成具有第一以及第二端的一链群组;一位线,其耦接至该链群组的该第一端;以及其中,该等记忆单元的该等电容器具有不同的电容,以补偿在该链群组中的不同记忆单元所经历的不同负载。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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