[发明专利]氮化物半导体LED和其制造方法有效
| 申请号： | 03813235.4 | 申请日： | 2003-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN1659715A | 公开（公告）日： | 2005-08-24 |
| 发明（设计）人： | 李昔宪 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 公开了一种氮化物半导体LED，包括：基底；在基底上形成的GaN基过渡层；在GaN基过渡层上形成的、上部和下部之间置有未掺杂的GaN层或掺杂铟的GaN层的夹层结构的AlyGa1－yN/GaN短周期超晶格(SPS)层(这里0≤y≤1)；在AlyGa1－yN/GaN SPS上层形成的n－GaN层的第一电极层；在第一电极层上形成的活性层；以及在活性层上形成的p－GaN层的第二电极层。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 led 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化物半导体LED，包括：基底；在基底上形成的GaN基过渡层；在GaN基过渡层上形成的、上层和下层之间置有未掺杂的GaN层或掺杂铟的GaN层的夹层结构的AlyGa1-yN/GaN短周期超晶格(SPS)层(这里0≤y≤1)；在AlyGa1-yN/GaN SPS上层上形成的n-GaN层的第一电极层；在第一电极层上形成的活性层；和在活性层上形成的p-GaN层的第二电极层。
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