[发明专利]包括具有ESD保护电路的集成电路的数据载体无效
申请号: | 03813324.5 | 申请日: | 2003-05-16 |
公开(公告)号: | CN1659704A | 公开(公告)日: | 2005-08-24 |
发明(设计)人: | R·布兰德尔 | 申请(专利权)人: | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 刘红;陈景峻 |
地址: | 荷兰艾*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | 在数据载体(1)或用于数据载体(1)的集成电路(5)的情况下,ESD保护电路(8)利用包括第一保护二极管(10)和保护极(11)的串联连接(9)以及与串联连接(9)并联连接的第二保护二极管(21)来形成,并且提供与ESD保护电路(8)相连接的整流器电路(13),该整流器电路包括与ESD保护电路(8)并联连接的整流二极管,其中整流二极管采用具有寄生p/n结(26)的肖特基二极管(21)的形式,并且其中具有寄生p/n结(26)的肖特基二极管(21)形成ESD保护电路(8)的第二保护二极管。 | ||
搜索关键词: | 包括 具有 esd 保护 电路 集成电路 数据 载体 | ||
【主权项】:
1.用于数据载体(1)的一种集成电路(5),该集成电路(5)包括以下装置:第一端子(6)和第二端子(7),其中这两个端子(6,7)用于与数据载体(1)的传输装置(2)连接,和ESD保护电路(8),其被连接在这两个端子(6,7)之间,并且包括由第一保护二极管(10)和保护级(11)构成的串联连接(9),该保护级(11)在超过电压门限时可以从截止状态进入导通状态,以及该ESD保护电路还包括与串联连接(9)并联连接并与串联连接(9)的第一保护二极管(10)反向的第二保护二极管(12),和整流器电路(13),其被连接到ESD保护电路(8),并且包括与ESD保护电路(8)并联连接的整流二极管,其中整流器电路(13)的整流二极管采用具有寄生p/n结(26)的肖特基二极管(21)的形式,并且其中具有寄生p/n结(26)的肖特基二极管(21)形成ESD保护电路(8)的第二保护二极管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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