[发明专利]利用相控阵微波激发的沉积方法和沉积设备无效
申请号: | 03813690.2 | 申请日: | 2003-03-31 |
公开(公告)号: | CN1659309A | 公开(公告)日: | 2005-08-24 |
发明(设计)人: | C·M·卡彭特;R·S·丹多;P·H·坎贝里 | 申请(专利权)人: | 微米技术有限公司 |
主分类号: | C23C16/511 | 分类号: | C23C16/511;H01Q21/00;C23C16/455;C23C16/40;C23C16/34 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 廖凌玲;蔡民军 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明包括一种沉积设备,所述沉积设备具有反应腔室和在所述腔室外部的微波源。所述微波源被构造用以引导微波射线朝向所述腔室。所述腔室包括窗口,来自微波源的微波射线可通过所述窗口进入所述腔室。本发明还包括沉积方法(例如化学气相沉积(CVD)方法或原子层沉积(ALD)方法),其中微波射线被用以在将材料沉积到反应腔室内的衬底上的过程中活化反应腔室内的至少一种组分。 | ||
搜索关键词: | 利用 相控阵 微波 激发 沉积 方法 设备 | ||
【主权项】:
1、一种沉积方法,包括在将材料沉积到反应腔室内的衬底上的过程中,微波激发反应腔室内的组分;所述激发过程由进入所述反应腔室内的相控阵微波引起。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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